A*STAR의 과학자들은 기존 공정을 이용하여 CuO(p-타입)와 Si(n-타입) 사이의 계면을 조정하여 싸고 고성능 태양전지를 만들었다.
그들은 CuO를 Si 기판 위에 증착시 압력을 증가시켜 결정과 계면 품질을 강화시켰다. 이렇게 하면 전자와 홀의 재결합비 감소 효과가 있다.
CuO는 p-타입 반도체이고 태양광 흡수에 이상적인 밴드갭을 갖고 있다.
문헌에 의하면 CuO와 Si는 고성능 태양전지를 만들기 위한 완변한 한 쌍이다. 하지만 실제로는 전자와 홀이 그들 내에 재겹합되려는 경향때문에 태양전지에 적용했을때 특성이 좋지 않다. 이 문제에 대한 한 원인은 Si 표면위의 SiO2 때문에 CuO와 Si 사이의 계면 품질이 좋지 않기 때문이다.
일련의 분석 기술을 적용하여 그들은 계면 품질은 Cu-rich oxide 층의 형성 뿐아니라 Si 표면 위에 SiO2의 생성에 의해 제한적이라는 것을 알았다.
또한 그들은 증착 압력과 어닐링 시간을 증가시키면 Cu-rich 층을 최소화 할 수 있다는 것을 알았다.
참고: http://www.nanowerk.com/nanotechnology-news/newsid=39261.php
