ANU(Australian National University)은 소량의 인듐을 전자 수송층에 첨가하는 새로운 제조 기술을 발표했다. 이 기술은 간단한 원 스텝 용액 기반 공정이다.
그들은 인듐을 전자 수송층인 TiO2에 도핑하여 순수 TiO2 대비 전도도 증가와 적당한 일함수로 페로브스카이트/TiO2 계면의 밴드 얼라이먼트 향상을 통해 FF와 Voc를 증가시켰다.
ANU 연구자들은 최적화된 TiO2층을 사용하여 CH3NH3PbI 기반 셀과 Cs0.05FA0.83)0.95Pb(I0.83Br0.17)3 기반 셀에 대해 각각 정상-상태 효율 17.9%와 19.3%을 얻었다.
또한, 4 터미널 페로브스카이트-Si 탠덤 셀에서 정상-상태 효율 24.5%을 달성했다. 여기에 정상-상태 효율 16.6%을 갖는 반 투명 페로브스카이트 셀이 이용됐다.
참고: http://onlinelibrary.wiley.com/wol1/doi/10.1002/aenm.201601768/full
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