태양전지용 물질의 에너지 밴드갭

[유기 태양전지]

• 도너

- P3HT(poly(3-hexylthiophene): 2.1 eV (*광학적 밴드갭 ~1.9 eV)

- PCPDTBT: 1.4 eV(@900 nm)

- TT-BDT: 1.6 eV

- PTPD3T: 1.82 eV

- PBTI3T: 1.81 eV

- CuPc: 1.9 eV

- F8BT: 2.4 eV

• 업셉터

- C60: 2.2 eV, 4.7 eV

- PC71BM: 1.9 eV

- PC70BM: 1.7 eV

• 전자 전도체

- BCP(bathocuproine): 3.4 eV

• 홀 전도체

- PEDOT: 3.0 eV

[양자점 태양전지]

- Zn3P2: 1.5 eV
- PbS: 0.4 eV

[염료 감응 태양전지]

- CsSnI3: 1.3 eV

   :DSSC에서 iodine 기반 전해질을 고체 전해질로 사용하기 위해 쓰임, p 형 직접 밴드갭 반도체, 홀 전송 물질 

- TiO2: 3.2 eV(anatase, conduction band 에너지: -4.26 eV), 3.0 eV(rutile)

- ZnO: 3.4 eV

- Nb2O5: 3.49 eV

- SrTiO3: 3.2 eV

[Si 기반 태양전지]

- c-Si: 1.12 eV

- a-Si:H: 1.5~1.8

[CIGS 태양전지] 

- Cu(Inx,Ga1-x)Se2: 1.1~1.2 eV

[CdTe 태양전지]

- CdTe: 1.45 eV          

[화합물 반도체 태양전지]

- GaAs: 1.42 eV

[페로브스카이트 태양전지]

- CH3NH3SnI3: 1.3 eV

[기타]

- CZTS(Cu2ZnSnS4): 1.5~1.6 eV

- CZTSe: 0.9 eV

- Ge(벌크): 0.67 eV

- InSb: 0.18 eV

- GaP: 2.25 eV

- ZnSe: 2.7 eV


[절연체]

 - C(다이아몬드): 5.5 eV

 - SiO2: ~9 eV

[홀 전도체]

- LiF: 13.6 eV