완벽한 결정으로 부터 태양전지 효율 기록이 깨질 것이다

(layer-by-layer 원자 결정 성장에 의해 만들어진 이완된 InGaN/GaN 계면에서의 원자 배열) 

미국 과학자들이 태양전지 효율의 기록을 캘 수 있는 개선된 InGaN 결정 성장 방법을 생각해 냈다.  

이번의 향상된 InGaN 결정 성장 방법은 결정내의 원자 구조의 불규칙성을 해결했다. 

 InGaN의 조성 균일성을 높이고 변형을 줄이는 것이 요구되지만 그렇게 하기기 힘들다. 이 물질을 박막으로 성장시키는 것은 서로 다른 크기의  방을 갖고 있는 2개의 벌집을 매끄럽게 서로 맞추는 것과 비슷하다. 여기서 방 크기가 다르기 때문에 주기적인 방을 얻기가 힘들다. 

새로운 성장 방법은 소위 '금속 조절 에피택시(metal modulated epitaxy)'라고 불린다. 

이 방법을 통해 결정 성장 중 첫번째 원자층의 변형이 덜 일어 났다.

원하는 합금 조성을 얻기 위해 분자 펄스가 도입되었다. 이렇게 만들어진 InGaN의 발광 특성은 완벽한 결정의 것과 같았다. 

참고: http://m.phys.org/news/2013-10-atomic-layer-by-layer-ingan-technology-breakthrough.html