2014년 5월 10일 토요일

태양전지 기술

☉ 왜 태양광 발전인가?
    - 화석 연료가 야기시키는 환경 오염을 막고 앞으로 도래할 협력적 공유 사회를 위한 재생 에너지로서 필요하다. 



☉ 태양광 발전 보급이 활성화 되기 위해서는
    - 일단, 태양전지의 LCOE(levelised cost of electricity)가 탄소 기반의 것 보다 낮아야 한다. 


☉ 사용자 
    - 단독 주택 소유자, 기업, 에너지 회사, 공동체
   

☉ 태양전지 기술 




(참고: https://mitei.mit.edu/system/files/Chapter%202_compressed.pdf)



종류특징경쟁력전하 캐리어 수명/확산 거리 신뢰성효율
기록
문제점
Wafer 기반 c-Si-광흡수 물질: Si
-광생성 소수 캐리어는 즉시 자유롭게 움직임
-Si의 간접 밴드갭 특성으로 광흡수율이 낮아 Si wafer의 두께가 두꺼워야 함
:Wafer 두께:140~200 um
-p-n 정션에 의한 built-in potential에 의해 자유 캐리어(전자와 홀)가 분리된다. 
-잘 발달된 관련 산업

-주류 태양전지(설치된 태양광 전력의 90% 차지) 
-수명:1 ms

-확산 거리: 100~300 um
-25년 이상 보증-셀:25.6%(Panasonic HBC 셀 구조, @143.7 cm^2)

-모듈:22.8% @ aperture (SunPower, IBC panel, 12×8 cell, cell 크기 153.5 cm2)
-제조공정 복잡

-고공정 비용
DSSCs
(염료 감응 태양전지)
-광전기화학 시스템으로써 광반응 애노드(TiO2)와 전해질 사이에 형성된 반도체(염료)에 기반
-광흡수 물질: 염료
-전하 분리는 전자 수송 물질(TiO2)과 염료 계면에서 일어난다.

-전기화학적 에너지 구배(gradient)가 전하를 각 수집 전극으로 이동시킨다. 
-저방사(흐린 날)/저조도(실내광)에도 동작
-염료와 TiO2 모두 용액 공정 가능
-여러 염료의 조합으로 광흡수 대역 튜닝 가능

-고온과 빛에 의한 장기 수명 개선 필요12.3% -NIR의 낮은 흡수
-낮은 Voc
:계면 재결합이 원인
유기
(폴리머);  벌크 이종접합
-광흡수 물질:폴리머
-광흡수로 부터 exciton 생성(exciton 결합 에너지: ~0.25 eV(실온에서 열에너너지는 0.025 eV). ❊Si 태양전지에서의 exciton 결합에너지:~meV )

-유전상수: 3~4(높은 exciton 결합에너지와 관련 있음)

-이종접합에 의한 유효 필드는 exciton을 깨뜨려 전자를 도너의 conduction band에서 업셉터의 conduction band로 떨어뜨린다. 
-저가
:인쇄 공정 가능(롤-투-롤, 잉크젯, 열증착)
:진공과 고온 공정 불필요

-경량

-플렉서블

-반투명

exciton 확산 거리: 3~10 nm-단수명(빛에 의한 열화)11.1%-저효율(전하 캐리어의 낮은 이
동도와 높은 재결합이 원인)

-낮은 강도
CdTe-광흡수 물질:CdTe
-Si에 비해 광흡수가 10~100배 좋아서 광흡수층 두께는 수 um이면 충분
-직접 밴드갭 물질
-고속 생산 공정
:가장 낮은 모듈 생산 단가

-셀 크기가 대면적


21.0%-독성 금속(Cd)과 희소 금속(Te) 사용
페로브스카이트(유/무기 할로겐 화물)-광흡수 물질:페로브스카이트
-높은 광흡수 계수(1.5×10^4 cm-1 @550 nm)

-광흡수와 캐리어 수송 역할을 동시 수행한다.

-밴드갭 튜닝 가능
:양이온과 음이온 치환에 의해


-고효율

-값싼 재료

-용액 공정(spin-coating, blade-coating, drop casting, spraying, inject, printing, gravure printing, slot-dye coating)

-착색/반투명

-플렉서블
-확산 거리:  다결정일때  > 1 um, 단결정일때 >175  um.


-약 20일22.1%(NREL 인증)-단수명 ( 습기에 취약)

-독성(Pb)


☉ 지표면에서 태양광 포톤 플럭스와 서로 다른 종류의 태양전지에 대한 정규화된 EQE



- CdTe: 1.45 eV, CIGS: 1.04~1.68 eV)
(참고: https://mitei.mit.edu/system/files/Appendix%20B_compressed.pdf)














  

댓글 없음:

댓글 쓰기